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lateral isolation sheet 横向隔板
lateral l isolation 横向绝缘
lateral stiffness of isolation layer 隔震层侧移刚度
·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
For isolated LDMOS devices, the resistance between the lateral isolation wall (32) (tied to the source) and the buried layer (24) is reduced, thereby reducing substrate injection current.
对于隔离的LDMOS器件，横向隔离壁(32)(结合至源极)与埋层(24)之间的电阻减少，从而减少了衬底注入电流。
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